FQI13N50CTU

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Spezifikation

Artikelnummer

FQI13N50CTU
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FQI13N50CTU.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I2PAK (TO-262)
Serie

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

480 mOhm @ 6.5A, 10V
Verlustleistung (max)

195W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

13 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2055pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

13A (Tc)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FQI13N50CTU" -Einziper.

FQI17N08TU

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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