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FQD12N20TM_F080

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Spezifikation

Artikelnummer

FQD12N20TM_F080
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.FQD12N20TM_F080.pdf
2.FQD12N20TM_F080.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D-Pak
Serie

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

280 mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 55W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

910pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9A (Tc)

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "FQD12N20TM_F080" -Einziper.

FQD12N20TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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