FQB10N50CFTM-WS

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Spezifikation

Artikelnummer

FQB10N50CFTM-WS
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FQB10N50CFTM-WS.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263AB)
Serie

FRFET®, QFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

610 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)

143W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

FQB10N50CFTM-WSDKR
FQB10N50CFTM_WSDKR
FQB10N50CFTM_WSDKR-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2210pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 10A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FQB10N50CFTM-WS" -Einziper.

FQB11N40CTM

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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