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FJY3010R

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Spezifikation

Artikelnummer

FJY3010R
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FJY3010R.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

40V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SOT-523F
Serie

-
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SC-89, SOT-490
Andere Namen

FJY3010RCT
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-523F
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

FJY3010

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FJY3010R" -Einziper.

FJY4003R

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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