FJNS3208RBU

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Spezifikation

Artikelnummer

FJNS3208RBU
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FJNS3208RBU.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

TO-92S
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms
Leistung - max

300mW
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

56 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FJNS3208RBU" -Einziper.

FJNS3213RBU

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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