FEP16BT

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Spezifikation

Artikelnummer

FEP16BT
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE ARRAY GP 100V 16A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.FEP16BT.pdf
2.FEP16BT.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

950mV @ 8A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

100V
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

35ns
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

FEP16BTFS
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode
detaillierte Beschreibung

Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 100V 16A Through Hole TO-220-3
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

10µA @ 100V
Strom - Richt (Io) (pro Diode)

16A
Basisteilenummer

FEP16B

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FEP16BT" -Einziper.

FEP16BT/45

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 100V 16A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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