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FDW2501NZ

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Spezifikation

Artikelnummer

FDW2501NZ
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDW2501NZ.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-TSSOP
Serie

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Leistung - max

600mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1286pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.5A 600mW Surface Mount 8-TSSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.5A

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "FDW2501NZ" -Einziper.

FDW2503N

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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