FDPF041N06BL1

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Spezifikation

Artikelnummer

FDPF041N06BL1
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 77A TO-220F
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDPF041N06BL1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220F
Serie

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.1 mOhm @ 77A, 10V
Verlustleistung (max)

44.1W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5690pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 77A (Tc) 44.1W (Tc) Through Hole TO-220F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

77A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FDPF041N06BL1" -Einziper.

FDPF12N50FT

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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