FDP027N08B-F102

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Spezifikation

Artikelnummer

FDP027N08B-F102
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDP027N08B-F102.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220-3
Serie

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)

246W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

FDP027N08B_F102
FDP027N08B_F102-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

39 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13530pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

178nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 80V 120A (Tc) 246W (Tc) Through Hole TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

120A (Tc)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FDP027N08B-F102" -Einziper.

FDP-500

Beschreibung: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 500MM

Hersteller: Panasonic

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