FDMS86568-F085

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Spezifikation

Artikelnummer

FDMS86568-F085
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 80A POWER56
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDMS86568-F085.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

Power56
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)

214W (Tj)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

FDMS86568-F085CT
FDMS86568_F085CT
FDMS86568_F085CT-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4335pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 80A (Tc) 214W (Tj) Surface Mount Power56
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

80A (Tc)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FDMS86568-F085" -Einziper.

FDMS8670S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A POWER56

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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