FDMC4435BZ-F126

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Spezifikation

Artikelnummer

FDMC4435BZ-F126
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 8.5A
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDMC4435BZ-F126.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-MLP (3.3x3.3)
Serie

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 8.5A, 10V
Verlustleistung (max)

2.3W (Ta), 31W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerWDFN
Andere Namen

FDMC4435BZ-F126TR
FDMC4435BZ_F126
FDMC4435BZ_F126TR
FDMC4435BZ_F126TR-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

39 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2045pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 8.5A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8.5A (Ta), 18A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "FDMC4435BZ-F126" -Einziper.

FDMC2674

Beschreibung: MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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