FDD6N50TM-F085

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2500+

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Spezifikation

Artikelnummer

FDD6N50TM-F085
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDD6N50TM-F085.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D-Pak
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)

89W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

FDD6N50TM-F085TR
FDD6N50TM_F085
FDD6N50TM_F085-ND
FDD6N50TM_F085TR
FDD6N50TM_F085TR-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

27 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.6nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 6A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6A (Tc)
Basisteilenummer

FDD6N50

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "FDD6N50TM-F085" -Einziper.

FDD6N20TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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