FDC2612_F095

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Spezifikation

Artikelnummer

FDC2612_F095
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDC2612_F095.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SuperSOT™-6
Serie

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

725 mOhm @ 1.1A, 10V
Verlustleistung (max)

1.6W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

234pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 1.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.1A (Ta)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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FDC2512

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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