FDBL86063_F085

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Spezifikation

Artikelnummer

FDBL86063_F085
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH TRENCH PTNG 100V
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDBL86063_F085.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-HPSOF
Serie

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)

357W (Tj)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerSFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5120pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 240A (Tc) 357W (Tj) Surface Mount 8-HPSOF
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

240A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Beschreibung:

Hersteller: ON Semiconductor

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