FDB86360-F085

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Spezifikation

Artikelnummer

FDB86360-F085
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 80V 110A TO263
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDB86360-F085.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263AB)
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)

333W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

FDB86360-F085CT
FDB86360_F085CT
FDB86360_F085CT-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

253nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 80V 110A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

110A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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