FCPF190N65S3R0L

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Spezifikation

Artikelnummer

FCPF190N65S3R0L
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

SUPERFET3 650V TO220F PKG
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

FCPF190N65S3R0L.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.7mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220F-3
Serie

SuperFET® III
Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 8.5A, 10V
Verlustleistung (max)

144W (Tc)
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Andere Namen

FCPF190N65S3R0L-ND
FCPF190N65S3R0LOS
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

Not Applicable
Bleifreier Status

Lead free
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 17A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

17A (Tc)

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Das Folgende sind "FCPF190N65S3R0L" -Einziper.

FCPF190N65FL1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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