FCH190N65F-F155

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Spezifikation

Artikelnummer

FCH190N65F-F155
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FCH190N65F-F155.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 2mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247 Long Leads
Serie

FRFET®, SuperFET® II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

208W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

FCH190N65F_F155
FCH190N65F_F155-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3225pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

20.6A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FCH190N65F-F155" -Einziper.

FCH47N60

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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