FCH099N65S3_F155

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Spezifikation

Artikelnummer

FCH099N65S3_F155
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

FCH099N65S3_F155.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 3mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247-3
Serie

SuperFET® III
Rds On (Max) @ Id, Vgs

99 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

227W (Tc)
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2480pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 30A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

30A (Tc)

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FCH099N65S3_F155" -Einziper.

FCH150N65F-F155

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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