FCD4N60TM_WS

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Spezifikation

Artikelnummer

FCD4N60TM_WS
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FCD4N60TM_WS.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D-Pak
Serie

SuperFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)

50W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

FCD4N60TM_WSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.6nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 3.9A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.9A (Tc)
Basisteilenummer

FCD4N60

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2025/03/31

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Das Folgende sind "FCD4N60TM_WS" -Einziper.

FCD121500TP

Beschreibung: FUSE BOARD MOUNT 5A 32VDC 1206

Hersteller: Hamlin / Littelfuse

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