FCB20N60F-F085

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Spezifikation

Artikelnummer

FCB20N60F-F085
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FCB20N60F-F085.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263AB
Serie

Automotive, AEC-Q101, SuperFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

195 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

405W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

FCB20N60F-F085DKR
FCB20N60F_F085DKR
FCB20N60F_F085DKR-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2035pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

102nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 20A (Tc) 405W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

20A (Tc)
Basisteilenummer

FCB20N60

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FCB20N60F-F085" -Einziper.

FCB070N65S3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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