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994435ES3B-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

ES3B

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES3B
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    950mV @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMC (DO-214AB)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    20ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    ES3B-ND
    ES3BFSTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -50°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    15 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 3A Surface Mount SMC (DO-214AB)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    45pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    ES3B
ES3B R7G

ES3B R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES3AHE3_A/H

ES3AHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES3AB-13-F

ES3AB-13-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ES3B-E3/9AT

ES3B-E3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES3B-13-F

ES3B-13-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ES3A-M3/57T

ES3A-M3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES3B-E3/57T

ES3B-E3/57T

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES3AHE3_A/I

ES3AHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES3A-M3/9AT

ES3A-M3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES3B-M3/57T

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES3B V7G

ES3B V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES3AB-13

ES3AB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ES3AHE3/9AT

ES3AHE3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES3B-M3/9AT

ES3B-M3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES3AHR7G

ES3AHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES3B M6G

ES3B M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES3AHE3/57T

ES3AHE3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES3AHM6G

ES3AHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES3B-13

ES3B-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ES3B V6G

ES3B V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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