EGP10J

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Spezifikation

Artikelnummer

EGP10J
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

EGP10J.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

600V
Supplier Device-Gehäuse

DO-41
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

75ns
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DO-204AL, DO-41, Axial
Andere Namen

EGP10J-ND
EGP10JTR
Betriebstemperatur - Anschluss

-65°C ~ 150°C
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 600V 1A Through Hole DO-41
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

5µA @ 600V
Strom - Richt (Io)

1A
Kapazität @ Vr, F

-
Basisteilenummer

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "EGP10J" -Einziper.

EGP20B-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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