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2693548DTC143ZET1G-Bild.ON Semiconductor

DTC143ZET1G

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  • Artikelnummer
    DTC143ZET1G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 10mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    SC-75, SOT-416
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    4.7 kOhms
  • Leistung - max
    200mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-75, SOT-416
  • Andere Namen
    DTC143ZET1GOSCT
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    23 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    80 @ 5mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    DTC143
DTC143ZUBHZGTL

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DTC143ZUAT106

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DTC143XUBHZGTL

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Beschreibung: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

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DTC143ZU3T106

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