BFL4026-1E

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Spezifikation

Artikelnummer

BFL4026-1E
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 900V 3.5A
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BFL4026-1E.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220F-3FS
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6 Ohm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max)

2W (Ta), 35W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

900V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 900V 3.5A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3FS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.5A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "BFL4026-1E" -Einziper.

BFL4037-1E

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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