BF959ZL1G

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Spezifikation

Artikelnummer

BF959ZL1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS RF NPN 20V 100MA TO-92
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BF959ZL1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

20V
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

TO-92-3
Serie

-
Leistung - max

625mW
Verpackung

Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gewinnen

-
Frequenz - Übergang

700MHz
detaillierte Beschreibung

RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

40 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

BF959

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "BF959ZL1G" -Einziper.

BF996S,215

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 30MA SOT143B

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

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