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5284624BD679AS-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BD679AS

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BD679AS
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    80V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    2.8V @ 40mA, 2A
  • Transistor-Typ
    NPN - Darlington
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-126
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    40W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-225AA, TO-126-3
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    2 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-126
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    750 @ 2A, 3V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    4A
  • Basisteilenummer
    BD679
KP253HPXTMA1

KP253HPXTMA1

Beschreibung: IC ANLG BAROMETRIC SNSR DSOF8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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