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BC556BTA

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    BC556BTA
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    65V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    650mV @ 5mA, 100mA
  • Transistor-Typ
    PNP
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    500mW
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Andere Namen
    BC556BTA-ND
    BC556BTATB
    BC556BTATR
    BC556BTATR-ND
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    150MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 65V 100mA 150MHz 500mW Through Hole TO-92-3
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    200 @ 2mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    15nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    BC556
BC556BTFR

BC556BTFR

Beschreibung: TRANS PNP 65V 0.1A TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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BC556BBU

BC556BBU

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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BC556B,112

BC556B,112

Beschreibung: TRANS PNP 65V 0.1A TO-92

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BC556BZL1G

BC556BZL1G

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BC556BG

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BC556CBU

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BC556B_J18Z

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BC556B,116

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BC556ATA

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BC556BZL1

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BC556B

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BC556CTA

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BC556BTAR

BC556BTAR

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BC556BTF

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BC556B

BC556B

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BC556

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BC556BU

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BC556A,112

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BC556B_J35Z

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BC556ABU

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