BBS3002-TL-1E

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Spezifikation

Artikelnummer

BBS3002-TL-1E
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 100A
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BBS3002-TL-1E.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

90W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

BBS3002-TL-1EOSCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

13 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13200pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 60V 100A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Ta)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "BBS3002-TL-1E" -Einziper.

BBS-8

Beschreibung: FUSE CARTRIDGE 8A 250VAC

Hersteller: Bussmann (Eaton)

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