Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-RF > 3SK264-5-TG-E
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
29627673SK264-5-TG-E-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

3SK264-5-TG-E

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    3SK264-5-TG-E
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    FET RF 15V 200MHZ CP4
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Prüfung
    6V
  • Spannung - Nennwert
    15V
  • Transistor-Typ
    N-Channel Dual Gate
  • Supplier Device-Gehäuse
    4-CP
  • Serie
    -
  • Leistung
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-253-4, TO-253AA
  • Andere Namen
    3SK264-5-TG-E-ND
    3SK264-5-TG-EOSTR
  • Rauschmaß
    2.2dB
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gewinnen
    23dB
  • Frequenz
    200MHz
  • detaillierte Beschreibung
    RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 200MHz 23dB 4-CP
  • Aktuelle Bewertung
    30mA
  • Strom - Test
    10mA
ATF-52189-BLK

ATF-52189-BLK

Beschreibung: FET RF 7V 2GHZ SOT89

Hersteller: Avago Technologies (Broadcom Limited)
vorrätig
PTFB211501FV1R0XTMA1

PTFB211501FV1R0XTMA1

Beschreibung: IC AMP RF LDMOS H-37248-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
MAPG-002729-350L00

MAPG-002729-350L00

Beschreibung: TRANSISTOR RF 350W GAN

Hersteller: Aeroflex (MACOM Technology Solutions)
vorrätig
AFT09H310-03SR6

AFT09H310-03SR6

Beschreibung: FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230S-4S

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
A2T08VD021NT1

A2T08VD021NT1

Beschreibung: AF3IC 800MHZ 20W PQFN8X8

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
3SK263-5-TG-E

3SK263-5-TG-E

Beschreibung: FET RF 15V 200MHZ CP4

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BLC8G27LS-240AVU

BLC8G27LS-240AVU

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12521

Hersteller: Ampleon
vorrätig
MRF373ALR5

MRF373ALR5

Beschreibung: FET RF 70V 860MHZ NI-360

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
BLC10G22XS-550AVTY

BLC10G22XS-550AVTY

Beschreibung: BLC10G22XS-550AVT/SOT1258/REEL

Hersteller: Ampleon
vorrätig
3SK292(TE85R,F)

3SK292(TE85R,F)

Beschreibung: MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
PTFA091201E-V4-R250

PTFA091201E-V4-R250

Beschreibung: IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2

Hersteller: Cree Wolfspeed
vorrätig
PD84001

PD84001

Beschreibung: FET RF 18V 870MHZ

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
PTFA191001F V4 R250

PTFA191001F V4 R250

Beschreibung: IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
3SK294(TE85L,F)

3SK294(TE85L,F)

Beschreibung: FET RF 12.5V 500MHZ USQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
PD57018S-E

PD57018S-E

Beschreibung: FET RF 65V 945MHZ PWRSO10

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
BLC9G20XS-550AVT

BLC9G20XS-550AVT

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 15.4DB SOT12587

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BLF8G24LS-200P,118

BLF8G24LS-200P,118

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B

Hersteller: Ampleon
vorrätig
3SK291(TE85L,F)

3SK291(TE85L,F)

Beschreibung: MOSFET N-CH SMQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
3SK293(TE85L,F)

3SK293(TE85L,F)

Beschreibung: FET RF 12.5V 800MHZ USQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
BLC10M6XS200Y

BLC10M6XS200Y

Beschreibung: BLC10M6XS200/SOT1270/REELDP

Hersteller: Ampleon
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden