3LN01SS-TL-E

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Spezifikation

Artikelnummer

3LN01SS-TL-E
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

3LN01SS-TL-E.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SC-81 (SSFP)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7 Ohm @ 80mA, 4V
Verlustleistung (max)

150mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-81
Andere Namen

3LN01SS-TL-E-ND
3LN01SS-TL-EOSTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.58nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 150mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-81 (SSFP)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

150mA (Ta)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "3LN01SS-TL-E" -Einziper.

SI4396DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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