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2N5401TAR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    2N5401TAR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PNP 150V 0.6A TO-92
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    150V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    500mV @ 5mA, 50mA
  • Transistor-Typ
    PNP
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    625mW
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    400MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 600mA 400MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    60 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    50nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    600mA
  • Basisteilenummer
    2N5401
2N5401RLRM

2N5401RLRM

Beschreibung: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2N5401_J61Z

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Beschreibung: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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2N5401RLRA

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Beschreibung: TRANS PNP 150V 0.6A TO92

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2N5401NLBU

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Beschreibung: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92

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2N5401ZL1

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Beschreibung: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92

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2N5401_D28Z

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2N5401RL1G

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2N5401G

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2N5401CYTA

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2N5401_D10Z

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2N5401_J05Z

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2N5401RLRAG

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2N5401RL1

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2N5401TF

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2N5401_S00Z

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2N5401RLRMG

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2N5401_D81Z

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2N5401TA

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2N5401TFR

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2N5401ZL1G

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