BUJ403A/DG,127

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Spezifikation

Artikelnummer

BUJ403A/DG,127
Hersteller / Marke

WeEn Semiconductors Co., Ltd
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN 550V 6A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BUJ403A/DG,127.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

550V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 2A
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

-
Leistung - max

100W
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

934065586127
BUJ403ADG127
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 550V 6A 100W Through Hole TO-220AB
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

20 @ 500mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

6A

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Das Folgende sind "BUJ403A/DG,127" -Einziper.

BUJ303B,127

Beschreibung: TRANS NPN 400V 5A TO220AB

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd

vorrätig

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