SIE812DF-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIE812DF-T1-E3
Hersteller / Marke

Vishay / Siliconix
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIE812DF-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Prüfung

8300pF @ 20V
Spannung - Durchschlag

10-PolarPAK® (L)
VGS (th) (Max) @ Id

2.6 mOhm @ 25A, 10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

TrenchFET®
RoHS Status

Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs

60A (Tc)
Polarisation

10-PolarPAK® (L)
Andere Namen

SIE812DF-T1-E3TR
SIE812DFT1E3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Hersteller-Teilenummer

SIE812DF-T1-E3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

170nC @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3V @ 250µA
FET-Merkmal

N-Channel
Expanded Beschreibung

N-Channel 40V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Drain-Source-Spannung (Vdss)

-
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

40V
Kapazitätsverhältnis

5.2W (Ta), 125W (Tc)

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Das Folgende sind "SIE812DF-T1-E3" -Einziper.

SIE816DF-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIE812DF-T1-E3

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