TK380A60Y,S4X

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Spezifikation

Artikelnummer

TK380A60Y,S4X
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK380A60Y,S4X.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 360µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220SIS
Serie

DTMOSV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 4.9A, 10V
Verlustleistung (max)

30W
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Andere Namen

TK380A60Y,S4X(S
TK380A60YS4X
TK380A60YS4X(S
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 9.7A (Tc) 30W Through Hole TO-220SIS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.7A (Tc)

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Das Folgende sind "TK380A60Y,S4X" -Einziper.

TK34E10N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 75A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK380A60Y,S4X

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