IRF6702M2DTR1PBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF6702M2DTR1PBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF6702M2DTR1PBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA
Supplier Device-Gehäuse

DIRECTFET™ MA
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.6 mOhm @ 15A, 10V
Leistung - max

2.7W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DirectFET™ Isometric MA
Andere Namen

IRF6702M2DTR1P
IRF6702M2DTR1P-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15A 2.7W Surface Mount DIRECTFET™ MA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

15A

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Das Folgende sind "IRF6702M2DTR1PBF" -Einziper.

IRF6674TR1PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF6702M2DTR1PBF

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