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IRF5810

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF5810
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

IRF5810.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

6-TSOP
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Leistung - max

960mW
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V
Typ FET

2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.9A

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Das Folgende sind "IRF5810" -Einziper.

IRF5804TRPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF5810

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