International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD180N10N3GATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPD180N10N3GATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPD180N10N3GATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 33µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO252-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 33A, 10V
Verlustleistung (max)

71W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

IPD180N10N3GATMA1-ND
IPD180N10N3GATMA1TR
SP000900132
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

43A (Tc)

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Das Folgende sind "IPD180N10N3GATMA1" -Einziper.

IPD16CN10N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPD180N10N3GATMA1

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