SIJH440E-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIJH440E-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIJH440E-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 8 x 8
Serie

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.96 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

158W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

SIJH440E-T1-GE3DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20330pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

195nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 200A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

200A (Tc)

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Das Folgende sind "SIJH440E-T1-GE3" -Einziper.

SIJA58DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIJH440E-T1-GE3

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