IRF540STRRPBF

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800+

$1.668

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF540STRRPBF
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF540STRRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

77 mOhm @ 17A, 10V
Verlustleistung (max)

3.7W (Ta), 150W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

IRF540STRRPBF-ND
IRF540STRRPBFTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 28A (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

28A (Tc)

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Das Folgende sind "IRF540STRRPBF" -Einziper.

IRF540N_R4942

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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