AS4C8M16MSA-6BINTR

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C8M16MSA-6BINTR
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C8M16MSA-6BINTR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

SDRAM - Mobile
Supplier Device-Gehäuse

54-FBGA (8x8)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

54-VFBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

128Mb (8M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-FBGA (8x8)
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

5ns

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Das Folgende sind "AS4C8M16MSA-6BINTR" -Einziper.

AS4C8M16S-6TAN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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