FDMT800120DC

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Spezifikation

Artikelnummer

FDMT800120DC
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 120V 20A/129A
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDMT800120DC.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-Dual Cool™88
Serie

Dual Cool™, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.14 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

3.2W (Ta), 156W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

FDMT800120DCCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

39 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7850pF @ 60V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

107nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

120V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 120V 20A (Ta), 129A (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-Dual Cool™88
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

20A (Ta), 129A (Tc)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "FDMT800120DC" -Einziper.

FDMS9411L-F085

Beschreibung: MOSFET NCH 40V 30A POWER56

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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